（Al）InGaAs（P）/InGaAs量子阱中无杂质空位无序的研究

时间：2010-04-20

在这项工作中，研究并比较了使用不同封装层对InGaAsP/InGaAs和AlInGaAs/InGaAs量子阱结构中的可控带隙修改。光致发光光谱用于监测由于相互扩散引起的量子阱光学性质的变化。X射线光电子能谱用于研究QW结构和介电覆盖层之间的界面反应。基于不同介电覆盖层下子晶格的相互扩散、促进或抑制，对结果进行了比较和讨论。