InGaAsP/InAs/InP和InAlGaAs/InGaAs/InP量子阱中质子和砷注入诱导混合的比较

时间：2008-02

在这项工作中，我们研究了质子和砷离子注入在InGaAsP/InGaAs和InAlGaAs/InGaAs量子阱中诱导的混合。基于不同注入条件和QW势垒材料下的缺陷形成和演化过程，对结果进行了比较和讨论。