本工作提出了一种新颖的InGaAs/InP雪崩光电二极管，该二极管采用单独的吸收、分级、充电和倍增配置，在非低温条件下工作，在低频斜坡门控下。厚度为1μm的优化三级InP倍增层通过降低穿通电压和无限期增加雪崩阈值电压来提供扩展的线性模式操作。在稳定的线性倍增之后，观察到了一个大的背景暗电流，该暗电流与斜坡门近似成正比。对于1310nm短波红外、正入射脉冲照明，在（0.11、0.2、0.6、0.89、0.98、0.9）的瞬时峰值电压比下，由于光照诱导的电子本征值的开关/变化和倍增区域中的空穴雪崩系数，在定性意义上，一种负微分电阻被并入器件中。在固定照明下，从瞬态光响应中得出的一个有趣的推论是慢猝灭现象延长~120μs用于设备中的所有电场设施。相关的测量方案为未来的斜坡驱动InGaAs/InP APD在所需的低功耗环境下检测SWIR波长铺平了道路。