本发明涉及一种用于红外图像传感器的新型像素结构，包括步骤：有源区光刻定位；浅沟道处绝缘隔离槽STI形成；N阱和P阱形成；栅极的形成；浅掺杂漏区LDD形成；栅极侧壁形成；新型像素结构的源区和漏区形成；金属连线和钝化层覆盖。本发明采用石墨烯作为光敏材料，因为石墨烯中的热电子散射和倍增作用，以及其零带隙的能带结构，石墨烯材质的光敏材料可以发生光电响应，并且能响应非常宽的波长；本发明以低成本，简化的工艺，优化现有红外图像传感器，使硅CMOS图像传感器的响应波长在近红外拓展至更远，并且使响应波长电致可调。
