通过原子探针断层扫描定量了GaAs纳米线中锌掺杂剂的浓度和分布。与通过汽液固工艺生长的芯相比,通过汽固工艺径向沉积的材料显示出明显更高的掺杂剂浓度。芯和壳材料的锌浓度分别高达7×1019和5×1020原子/cm3。掺杂剂活化通过电学表征得到证实,该表征表明纳米线电导率增加了几个数量级。
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