利用原子探针断层扫描定量分析GaAs纳米线中的掺杂剂分布

时间：2013-09

半导体纳米线的可控掺杂对于实现其拟议的应用至关重要，但掺杂剂分布的精确和可靠表征仍然具有挑战性。在这篇文章中，我们通过使用原子探针断层扫描来解决这一主要挑战，展示了生长基板上原始半导体纳米线的原子分辨率三维元素映射。这种高度可转移的方法能够分析纳米线的全直径，由于采用了利用样品晶体学的先进重建方法，深度分辨率优于0.17 nm，并且信噪比提高了8倍以上的化学灵敏度。