通过金属有机化学气相沉积生长的各向异性核壳结构InGaAs纳米线的3D原子尺度洞察

时间：2017-06-19

III–V三元InGaAs纳米线在电子和光电子器件方面具有巨大的应用潜力；然而，纳米线内部原子尺度上的三维结构和化学性质尚不清楚，这阻碍了纳米线的特殊应用。本文利用原子探针层析成像技术结合第一性原理模拟研究了InGaAs纳米线的三维结构和化学性质，揭示了i）由于轴向和横向生长机制的不同，InGaAs纳米线形成了具有Ga富集核和in富集壳的自发核壳结构；ii）核的形状由六边形演化为Reuleaux三角形，并逐渐变大，这是核壳界面发生In向外和Ga向内互扩散的结果；iii）不规则六角形壳在{112}A和{112}B面。据此，提出了一个核壳结构和化学演化模型，为纳米线的生长提供了新的思路。