不同电阻开关氧化物电阻随机存取存储器（RRAM）的电热建模与仿真

时间：2020-08-24

本文对由五种不同电阻开关氧化物组成的电阻随机存取存储器（RRAM）的电热性能进行了数值研究。采用基于有限元法的并行计算模拟器对RRAM单元和阵列进行电热仿真。模拟结果表明，NiO和ZrOx RRAM比HfOx、TiOx和ZnOx RRAM产生更高的热量，因为它们在相同电压下的电导率更高。在复位过程中，ZnOx RRAM由于其较高的氧空位漂移率，需要较低的电压才能转变为高电阻状态。还研究了RRAM阵列中的热串扰问题，这会降低RRAM复位过程中的可靠性。非活动单元可能会无意中转变为高电阻状态，存储的信息会丢失。在相同的电压下，HfOx和TiOx RRAM由于其较低的氧空位漂移率而受热串扰的影响较小。