GaN功率放大器中键合线阵列的电热响应

时间：2023-06-14

由于高压操作、阻抗不匹配等情况，氮化镓（GaN）基高电子迁移率晶体管（HEMT）功率放大器中键合线阵列的器件可靠性问题日益严重。本文对GaN功率放大器中键合线阵列的电热响应进行了实验和理论研究。通过使用有限元方法自洽地求解电流传输和热传导方程，可以获得在不同功率的连续波输入信号下GaN管芯表面和键合线阵列的温度分布，这些结果与测量系统红外显微镜捕捉到的实验结果一致。