提出并演示了一种石墨烯/硅量子点（Si-QD）/Si肖特基PN级联异质结，用于高性能短波红外（SWIR，1-3μm）光电探测。该异质结在级联结构中集成了石墨烯/Si肖特基接触和Si QDs/Si PN结，利用了石墨烯和Si QD的宽带光吸收，以及肖特基PN级联配置的有效载流子分离/传输。硅量子点是通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）合成的，并嵌入石墨烯和硅基板之间，通过量子限制效应在SWIR区域实现强吸收。所制备的光电探测器在1.55μm（电信波长）处的响应率为8.2 mA/W，比探测率（D*）为1.1×10¹⁰ Jones，响应速度（上升/下降时间）为2.3/3.1μs。此外，由于石墨烯的保护作用和硅量子点的钝化作用，该器件在没有封装的环境条件下表现出优异的稳定性。这项工作为开发基于硅兼容材料的低成本、高性能SWIR光电探测器提供了一种可行的方法，在光通信、遥感和环境监测方面具有广阔的应用前景。