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InGaAs/InP光电探测器中的电场控制电荷输运
时间:2024-07-02

本研究报告了在线性扫描和/或参数偏置电压下对调制和未调制1550nm波长照明的InGaAs/InP光电探测器进行的室温测试。通过对外加偏压、读出元件和光强的参数控制,研究了光生载流子在吸收体电场操纵下的电荷输运。该器件具有三种不同的依赖于照明强度的电流特征。所采用的设备的速度在相对较强的电场下得到提高,确保更高的漂移,并减少过渡时间。读出元件的增益设置的三个阶减少导致~235倍大峰值电流,20倍小脉冲照明0.2μW。这种电场增强将脉冲照明下的上升和下降时间从225 ns减少到115 ns,以及1.553 μs至1.143 μs分别为。但是,较大的光电检测合理性和减少的渡越时间确保了相对较快的速度,这是以器件中~5阶高噪声活动为代价的。还可以推断,器件的整体噪声频谱不是由吸收器中的简单生成过程决定的,而是通过参与实际电荷输运的光生载流子的实际比例决定的。

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